Objectiu de polverització de titanilliurament al client el 13 de desembre
Nom del producte Titanium round target
Grau Gr1 Gr2 Gr3 Gr5 (Ti6al4v)
Objectiu estàndard de titani: condicions tècniques: complir amb ASTM B34897
Objectiu de placa de titani: condicions tècniques: conforme a ASTM B265-93
Especificació: especificació comuna: 60/65/95/100 * 30/32/40/45mm
Objectiu de la placa: (8-25mm * (150-300) mm * (1000-2500) mm
Objectiu del tub: 70 mm * 7 mm/10 mm
El poliment de superfícies es pot roscar
Característiques: lleuger, excel·lent resistència a la corrosió, resistència a la corrosió, alta resistència, bona resistència a la calor, bona ductilitat, no tòxic, no magnètic, excel·lent resistència mecànica, etc.
Estat Estat de recuit (M) Estat de treball en calent (R) Estat de treball en fred (Y) (recuit, detecció de defectes per ultrasons)
Aplicacions: s'utilitza en dispositius de separació de semiconductors, pantalles de pantalla plana, pel·lícules d'elèctrodes d'emmagatzematge, recobriments de pols, recobriments de superfícies de peces de treball, indústria de recobriments de vidre
La puresa és un dels principals indicadors de rendiment dels objectius de titani perquè la puresa de l'objectiu té un gran impacte en el rendiment de la pel·lícula. Tanmateix, en aplicacions pràctiques, els requisits per a la puresa de l'objectiu també són diferents. Els xips de silici varien ara entre 6 polzades i 8 polzades i 12 polzades, i l'amplada del cablejat s'ha reduït de 0,5 um a 0,25 um, 0,18 um, o fins i tot 0.13 um, gràcies al ràpid progrés de la indústria de la microelectrònica. Anteriorment, el 99,995 per cent de la puresa objectiu pot complir els requisits del procés de 0,35 um IC, mentre que el 99,999 per cent o fins i tot el 99,9999 per cent de la puresa objectiu és necessari per a la preparació de línies de 0,18 um .
Les principals fonts de contaminació de les pel·lícules dipositades són les impureses del sòlid objectiu i l'oxigen i el vapor d'aigua als porus. Els diferents materials objectiu tenen requisits diferents per a diferents continguts d'impureses. Per exemple, els objectius d'alumini pur i d'aliatge d'alumini utilitzats a la indústria dels semiconductors tenen requisits especials per al contingut de metalls alcalins i el contingut d'elements radioactius.
Normalment es requereix que l'objectiu tingui una alta densitat per disminuir la porositat del sòlid objectiu i millorar el rendiment de la pel·lícula pulveritzada. Les característiques elèctriques i òptiques de la pel·lícula també es veuen afectades per la densitat de l'objectiu, a més de la velocitat de pulverització. La pel·lícula funciona millor com més gran sigui la densitat de l'objectiu. A més, l'objectiu pot sobreviure millor a l'estrès per calor durant el procés de pulverització esdevenint més dens i fort. La densitat també és un dels indicadors clau de rendiment de l'objectiu.
